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Ribeiro, C. S. C.; Paes Junior, H. R. Estudo da degradação de contatos ZnO: p-Si em função do tempo em atmosfera ambiente. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 44., 2000, São Pedro. Anais... São Pedro, 2000.
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Resumo

A utilização de heterojunções do tipo óxido de zinco / silício monocristalino (100) do tipo p (ZnO / p-Si) em aplicações como sensores de gás vem sendo amplamente desenvolvida devido à iminente necessidade de controle da poluição ambiental. Neste trabalho, foram produzidos contatos ZnO / p-Si a partir da deposição de filmes finos de óxido de zinco intrínseco ou dopados com terras-raras (Lantânio e Samário) nas temperaturas de 350 e 450 o C por meio da técnica de deposição por spray-pirólise. Foi realizado um estudo intenso da influência da atmosfera ambiente nas características das curvas (I x V) obtidas no escuro dos contatos produzidos em função do tempo decorrido após a deposição do filme fino. Através da análise da variação de parâmetros dos diodos, como fator de idealidade, J0 e resistência em série, observou-se um significativo efeito de degradação dos contatos, devido ao crescimento de uma camada de óxido de silício entre o substrato de silício e o filme fino de óxido de zinco.
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