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Pianaro, Sidnei; Pariona, Moises Meza. Modelagem da barreira de potencial no varistor de SnO2. In: CONGRESSO BRASILEIRO DE CERÂMICA, 44., 2000, São Pedro. Anais... São Pedro, 2000.
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Número de Trabalhos: 3 (Nenhum com arquivo PDF disponível)
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Resumo

A barreira de potencial nos contornos dos grãos no varistor tem uma dependência complexa, sendo dependente da distribuição de cargas, do potencial aplicado e da temperatura aplicada. Neste trabalho, a composição das amostras utilizadas foi 99,4% SnO2 + 0,05% Nb2O5 + 0,05% Cr2O3 + 0,5% CoO. Algumas destas amostras foram sinterizadas na temperatura de 700 o C durante 1h com fluxo constante de O2 ou Ar. Em seguida foram realizadas as medidas elétricas nas amostras de SnO2, em diferentes patamares de temperaturas em atmosfera do ambiente. O objetivo do trabalho foi determinar quantitativamente a dimensão geométrica da barreira de potencial nos contornos. Com esta finalidade, foram utilizados os modelos propostos por Schottky e Poole-Frenkel para ajustar a parte linear das curvas experimentais de corrente-voltagem. Através do resultado do ajuste encontrou-se uma equação diferencial para a barreira de potencial em função da temperatura. Segundo o resultado do modelo de Schottky, observou-se que as amostras sinterizadas em atmosfera de oxigênio apresentaram maior altura da barreira de potencial do que as outras. Isto significa que as amostras sinterizadas em atmosfera de oxigênio são menos condutoras. Cabe destacar a originalidade deste trabalho, pois o potencial da barreira foi considerado como dependente da temperatura e na literatura existente este potencial sempre foi considerando constante.
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